dwóch owoników: przełączającego i pamięciowego (rys. 7). Dostęp do tej komórki odbywa się poprzez przyłożenie napięcia do odpowiedniej pary przewodów XY. Układ jest tak zaprojektowany, że element pamięciowy ma nieco wyższe napięcie progowe (i niższą rezystancję w stanie wyłączenia) niż element przełączający. Zatem przed włączeniem przyłożone na komórkę napięcie nie rozkłada się równo pomiędzy obydwa elementy. Przyłożenie impulsu napięcia u U<hi rend="lower">z</> spowoduje włączenie w pierwszym etapie elementu przełączającego. <page nr=42> Wówczas dopiero prawie całe napięcie odkłada się na elemencie pamięciowym i jeżeli ma ono dostateczną wartość, również prowadzi go w stan przewodzenia. Po wyłączeniu impulsu sterującego U<hi rend="lower">z</> element przełączający wraca do stanu nieprzewodzenia