p-n dziury przechodzą do materiału typu n i odwrotnie. W rezultacie na połączeniu tworzy się warstwa zubożona w nośniki ładunku, gdyż dziury wypełniają się elektronami. Prąd może być przewodzony tylko w kierunku n p ; jeżeli napięcie przyłożymy tak, że ujemny biegun połączymy z obszarem typu p , a dodatni z n , to wzrasta wysokość bariery, oporność jest bardzo wielka i kryształ nie przewodzi prądu. Warstwa zubożona jest objętością czynną licznika.<br> Istotny dla zastosowania półprzewodników jako detektorów promieniowania jądrowego jest duży ładunek przestrzenny warstwy zubożonej. Pary elektron-dziura tworzone na skutek wejścia cząstki promieniowania w objętość czynną są szybko zbierane na elektrodach. Podczas