i telluru. Oporność właściwa takiej warstwy wynosi milion omocentymetrów. Wiązka laserowa, której intensywność i położenie jest sterowane za pomocą komputera i zespołu zwierciadeł, naświetla wybrane punkty bębna. Pod wpływem oświetlenia (użyty laser ma moc ciągłą około 1,5 W) niektóre punkty warstwy półprzewodnikowej na obracającym się bębnie zmieniają swoją strukturę amorficzną. Oporność warstwy w oświetlonych punktach wzrasta milion razy. Przekazywanie informacji na papier odbywa się podobnie jak w kserografii. Naświetlone miejsca są ładowane elektrostatycznie i pokrywane proszkiem. Odbitka jest drukowana na papierze. Zaletą tego systemu jest możliwość zapisu informacji przekazywanych bezpośrednio z komputera. Zapis jest bardzo trwały, co umożliwia wykonanie wielkich