Typ tekstu: Prasa
Tytuł: Młody Technik
Nr: 3
Miejsce wydania: Warszawa
Rok: 1971
Niewątpliwie pierwszą pozycję wśród tych materiałów zajmuje obecnie krzem. Potrzeby przemysłu, perspektywa odkrywania i praktycznego wykorzystania nowych zjawisk w monokrystalicznych materiałach półprzewodnikowych, wielki wysiłek w kierunku opanowania technologii ich oczyszczania i domieszkowania spowodował prawie zupełny brak zainteresowania laboratoriów elektronicznych półprzewodnikami amorficznymi (bezpostaciowymi) - materiałami o nieuporządkowanej strukturze atomowej (materiałem o strukturze amorficznej jest np. szkło). Jednakże prace, prowadzone przez niewielkie zespoły badaczy nad tymi półprzewodnikami, przyniosły w efekcie rezultaty tak rewelacyjne, że sympozja poświęcone analizie ich właściwości odbywały się w ostatnich dwóch latach w atmosferze entuzjazmu nie spotykanego od czasów odkrycia tranzystora. I chociaż przyrządy zbudowane na bazie amorficznych półprzewodników nie znajdują
Niewątpliwie pierwszą pozycję wśród tych materiałów zajmuje obecnie krzem. Potrzeby przemysłu, perspektywa odkrywania i praktycznego wykorzystania nowych zjawisk w monokrystalicznych materiałach półprzewodnikowych, wielki wysiłek w kierunku opanowania technologii ich oczyszczania i domieszkowania spowodował prawie zupełny brak zainteresowania laboratoriów elektronicznych półprzewodnikami amorficznymi (bezpostaciowymi) - materiałami o nieuporządkowanej strukturze atomowej (materiałem o strukturze amorficznej jest np. szkło). <page nr=38> Jednakże prace, prowadzone przez niewielkie zespoły badaczy nad tymi półprzewodnikami, przyniosły w efekcie rezultaty tak rewelacyjne, że sympozja poświęcone analizie ich właściwości odbywały się w ostatnich dwóch latach w atmosferze entuzjazmu nie spotykanego od czasów odkrycia tranzystora. I chociaż przyrządy zbudowane na bazie amorficznych półprzewodników nie znajdują
zgłoś uwagę
Przeglądaj słowniki
Przeglądaj Słownik języka polskiego
Przeglądaj Wielki słownik ortograficzny
Przeglądaj Słownik języka polskiego pod red. W. Doroszewskiego