wyniku oddziaływania na warstwę półprzewodnika energii promieniowania lasera. W ten sposób można zrealizować pamięć optyczną (rys. 10). Wiązka lasera, padająca na cienką warstwę szkliwa półprzewodnikowego, będącego stopem selenu i telluru, zmienia jego strukturę w punktach oświetleniowych. W tych miejscach warstwa półprzewodnikowa przechodzi w stan krystaliczny, a przezroczystość materiału zmniejsza się stokrotnie.<br>Również na zmianie właściwości szkliwa półprzewodnikowego pod wpływem promieniowania lasera oparta została owografia - nowa metoda drukowania informacji (rys. 11). &lt;page nr=45&gt; Obracający się bęben jest pokryty warstwą polikrystalicznego stopu selenu i telluru. Oporność właściwa takiej warstwy wynosi milion omocentymetrów. Wiązka laserowa, której intensywność i położenie jest sterowane za pomocą komputera i zespołu