stanie techniki wytwarzania owoników jest to łatwiejsze dla elementów pamięciowych niż dla przełączających. Problem jednakże jest do rozwiązania, ponieważ owoniki mogą być łatwo wytwarzane techniką podobną do stosowanej w obwodach scalonych. W matrycy pamięciowej można zatem zastąpić elementy przełączające diodami półprzewodnikowymi (rys. 8). W takim rozwiązaniu elementarną komórkę pamięciową tworzą szeregowo połączone: dioda półprzewodnikowa i owonikowy element pamięciowy. &lt;page nr=43&gt; Wymaga to, rzecz oczywista, również modyfikacji układu elektronicznego - stanom przewodzenia i nieprzewodzenia diody półprzewodnikowej odpowiadają impulsy elektryczne o różnych zwrotach.<br>Najbardziej znanym zastosowaniem owoników jest niewątpliwie budowa płaskiego odbiornika telewizyjnego. Współpraca owoników z elementami luminescencyjnymi (rys. 9) umożliwia realizację układów świecących o dużej