aby oporność gałęzi kasowania była bardzo mała (dużo mniejsza niż gałęzie odczytu).<br>Wytworzenie funkcjonalnej matrycy pamięciowej wymaga bardzo ostrych tolerancji na jej elementy. Przy obecnym stanie techniki wytwarzania owoników jest to łatwiejsze dla elementów pamięciowych niż dla przełączających. Problem jednakże jest do rozwiązania, ponieważ owoniki mogą być łatwo wytwarzane techniką podobną do stosowanej w obwodach scalonych. W matrycy pamięciowej można zatem zastąpić elementy przełączające diodami półprzewodnikowymi (rys. 8). W takim rozwiązaniu elementarną komórkę pamięciową tworzą szeregowo połączone: dioda półprzewodnikowa i owonikowy element pamięciowy. &lt;page nr=43&gt; Wymaga to, rzecz oczywista, również modyfikacji układu elektronicznego - stanom przewodzenia i nieprzewodzenia diody półprzewodnikowej odpowiadają impulsy elektryczne o