Typ tekstu: Książka
Autor: Kośmider Joanna, Mazur-Chrzanowska Barbara, Wyszyński Bartosz
Tytuł: Odory
Rok: 2002
Stosowane są również czujniki piezoelektryczne i bioczujniki (biosensory).
Czujniki z półprzewodzących tlenków metali (MOS) były najwcześniej zastosowane do konstrukcji elektronicznych nosów.
Rejestrowaną reakcją MOS na obecność odorantów jest zmiana przewodności tlenku.
Przyczyną zmian są powierzchniowe reakcje zachodzące z udziałem chemisorbowanego tlenu, którego obecność powoduje usunięcie elektronów z pasma przewodnictwa sieci tlenku. Reakcja tlenu z organicznymi zanieczyszczeniami badanej próbki powietrza prowadzi do uwolnienia elektronów i zwiększenia przewodności tlenku. Efektem odwracalnej adsorpcji akceptorów elektronów, takich jak ditlenek azotu, jest unieruchomienie elektronów i zmniejszenie przewodności.

Zróżnicowanie zakresów czułości czujników z tlenków określonego metalu, np.SnO2, osiąga się, stosując domieszki innych metali. Warstwy półprzewodzące są
Stosowane są również czujniki piezoelektryczne i bioczujniki (biosensory).<br>Czujniki z półprzewodzących tlenków metali (MOS) były najwcześniej zastosowane do konstrukcji elektronicznych nosów.<br>Rejestrowaną reakcją MOS na obecność odorantów jest zmiana przewodności tlenku.<br>Przyczyną zmian są powierzchniowe reakcje zachodzące z udziałem chemisorbowanego tlenu, którego obecność powoduje usunięcie elektronów z pasma przewodnictwa sieci tlenku. Reakcja tlenu z organicznymi zanieczyszczeniami badanej próbki powietrza prowadzi do uwolnienia elektronów i zwiększenia przewodności tlenku. Efektem odwracalnej adsorpcji akceptorów elektronów, takich jak ditlenek azotu, jest unieruchomienie elektronów i zmniejszenie przewodności.<br>&lt;gap&gt;<br>Zróżnicowanie zakresów czułości czujników z tlenków określonego metalu, np.SnO2, osiąga się, stosując domieszki innych metali. Warstwy półprzewodzące są
zgłoś uwagę
Przeglądaj słowniki
Przeglądaj Słownik języka polskiego
Przeglądaj Wielki słownik ortograficzny
Przeglądaj Słownik języka polskiego pod red. W. Doroszewskiego