zastosowane do konstrukcji elektronicznych nosów.<br>Rejestrowaną reakcją MOS na obecność odorantów jest zmiana przewodności tlenku.<br>Przyczyną zmian są powierzchniowe reakcje zachodzące z udziałem chemisorbowanego tlenu, którego obecność powoduje usunięcie elektronów z pasma przewodnictwa sieci tlenku. Reakcja tlenu z organicznymi zanieczyszczeniami badanej próbki powietrza prowadzi do uwolnienia elektronów i zwiększenia przewodności tlenku. Efektem odwracalnej adsorpcji akceptorów elektronów, takich jak ditlenek azotu, jest unieruchomienie elektronów i zmniejszenie przewodności.<br>&lt;gap&gt;<br>Zróżnicowanie zakresów czułości czujników z tlenków określonego metalu, np.SnO2, osiąga się, stosując domieszki innych metali. Warstwy półprzewodzące są nanoszone cienką, porowatą warstwą na kształtki zaopatrzone w cewki podgrzewające. Osiągnięcie niezbędnej czułości MOS (ppm/ppb