Typ tekstu: Prasa
Tytuł: Młody Technik
Nr: 3
Miejsce wydania: Warszawa
Rok: 1971
być łatwo wykonane w postaci cienkich warstw techniką naparowywania próżniowego. Rozmiary ich mogą być bardzo małe (rys. 6). Istnieje możliwość wkomponowania owoników jako części półprzewodnikowego czy też cienkowarstwowego układu scalonego. W celu pokazania zastosowań półprzewodników amorficznych podamy kilka najbardziej interesujących przykładów.
Najbliższą praktycznego zastosowania w niej owoników wydaje się pamięć maszyny matematycznej. Elementarna komórka takiej pamięci składa się z szeregowo połączonych dwóch owoników: przełączającego i pamięciowego (rys. 7). Dostęp do tej komórki odbywa się poprzez przyłożenie napięcia do odpowiedniej pary przewodów XY. Układ jest tak zaprojektowany, że element pamięciowy ma nieco wyższe napięcie progowe (i niższą rezystancję w stanie wyłączenia) niż element
być łatwo wykonane w postaci cienkich warstw techniką naparowywania próżniowego. Rozmiary ich mogą być bardzo małe (rys. 6). Istnieje możliwość wkomponowania owoników jako części półprzewodnikowego czy też cienkowarstwowego układu scalonego. W celu pokazania zastosowań półprzewodników amorficznych podamy kilka najbardziej interesujących przykładów.<br>Najbliższą praktycznego zastosowania w niej owoników wydaje się pamięć maszyny matematycznej. Elementarna komórka takiej pamięci składa się z szeregowo połączonych dwóch owoników: przełączającego i pamięciowego (rys. 7). Dostęp do tej komórki odbywa się poprzez przyłożenie napięcia do odpowiedniej pary przewodów XY. Układ jest tak zaprojektowany, że element pamięciowy ma nieco wyższe napięcie progowe (i niższą rezystancję w stanie wyłączenia) niż element
zgłoś uwagę
Przeglądaj słowniki
Przeglądaj Słownik języka polskiego
Przeglądaj Wielki słownik ortograficzny
Przeglądaj Słownik języka polskiego pod red. W. Doroszewskiego